loading...

تکنو مکانیک

دانلود مقاله isi رشته برق و الکترونیک تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شدهمقاله فارسي : ت

دانلود مقاله تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى غیر-معمولی جدید

کاظمی بازدید : 512 سه شنبه 10 / 12 / 1395 نظرات (0)
 
دانلود مقاله isi رشته برق و الکترونیک تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده

مقاله فارسي : تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نيمه هادى اکسيد فلزى تکميلى غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده

مقاله انگليسي : Characterization for Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed of a Junctionless NMOSFET and a Gated N+-N--P Transistor

رشته: برق و الکترونیک

مشخصات فايل ترجمه:  8 صفحه word

ترجمه چکيده مقاله:
1.مقدمه:
همزمان با ادامه توسعه ی تکنولوژی نیمه هادی ها، وسایل منطقی نیمه هادی اکسید-فلزی مکمل (CMOS)، در مدارات دیجیتال و نیز ساخت آی-سی ها در مقیاس های بسیاربزرگ (VLSI)، استفاده می شود؛ و این بدلیل مصرف توان استاتیک کم و کاهش نویز خوب آن می باشد. بدبختانه، پردازش پیچیده، هزینه های ساخت زیاد، و پویایی تطبیق نیافته، مسایل جدی وسایل منطقی CMOS سیلیکونی می باشند. همچنین، زمانی که ابعاد وسایل کوچک می شوند، به نظر می رسد که پهنای بیشتر PMOSFETها به سختی بتوانند به چگالی زیاد ساخت مدار مجتمع، دست یابند. تعدادی چند از مطالعات بر روی CMOS گزارش شدند که می توانند مشکلات گفته شده در بالا را _مثلا ساخت وسیله بر روی لایه سلیکون-روی-عایق (SOI) [1]، و روی سطح ژرمانیوم روی عایق (GeOI)[2]، و یا روی مواد III-V [3] و [4]، یا استفاده از تکنولوژی مهندسی فشار و ساخت آی-سی سه بعدی [5] _ را آسان کنند. با این حال، مسایل مربوط به جبران سازی پهنای PMOSFET و فرآیندهای پیچیده ی آن هنوز باقی است.
در دهه 1980، Yasuhisa Omura ترانزیستور گیت-جدا نوع-دوقطبی غیر مستقیم جانبی (LUBISTOR) را [6] و [7] که همانند یک دیود P-I-N کنترل شده کار می کرد، معرفی کرد. همچنین، ترانزیستورهای اثر میدان تونلی P-I-N(TFET) بخاطر مصرف توان پایینشان، تا بامروز مورد استقبال قرار گرفته اند. این به خاطر نوسان زیرآستانه ی سراشیبی (S.S.) و نسبت جریان ION/loFF بالای [8] و [9] مزایای TFETها برای مقیاس بندی ولتاژ منبع توان، می باشد. اخیرا، JL NMOSFTها [10] هم بسیار پر طرفدار بوده اند. نداشتن اتصال، ساخت آنها را به دلیل نبود اتصالات سورس/درین S/D آسانتر کرده است. به علاوه، زمانی که ابعاد وسیله کوچکتر می شوند، اثرات کانال-کوتاه (SCE) و کاهش مانع القای-درین (DIBL)، می تواند به اندازه ی کافی در JL NMOSFETها کاهش داده شود.
درباره ما
Profile Pic
تکنو مکانیک :: وبسایتی در زمینه ارائه و دانلود کتابها ، جزوه ها ،گزارش کار آزمایشگاه ، پروژه ها ، مقالات isi با ترجمه فارسی و تکنولوژیهای جدید در زمینه رشته های فنی و مهندسی به ویژه مکانیک می باشد.
اطلاعات کاربری
  • فراموشی رمز عبور؟
  • دانلود رایگان مقالات ISI + خرید ترجمه فارسی

    آمار سایت
  • کل مطالب : 741
  • کل نظرات : 74
  • افراد آنلاین : 3
  • تعداد اعضا : 302
  • آی پی امروز : 85
  • آی پی دیروز : 133
  • بازدید امروز : 333
  • باردید دیروز : 640
  • گوگل امروز : 39
  • گوگل دیروز : 43
  • بازدید هفته : 333
  • بازدید ماه : 1,496
  • بازدید سال : 291,880
  • بازدید کلی : 4,761,922